top of page

Статья была опубликована в International Journal of Molecular Sciences.

В данной работе с помощью моделирования методом теории функционала плотности (DFT) проведено комплексное исследование процесса адсорбции рибофлавина (Rf) на гексагональном нитриде бора, как бездефектном, так и содержащим вакансии. Полученные результаты свидетельствуют о том, что молекула Rf подвергается физической адсорбции на поверхности носителя, при этом ее химическая структура практически не изменяется.

Наиболее устойчивой конфигурацией является параллельное расположение молекулы рибофлавина на поверхности h-BN с образованием π-π стэкинг-взаимодействий. Это подтверждается энергиями адсорбции, полученными для различных положений молекулы препарата. Молекулярные орбитали изоповерхности рибофлавина дают полное представление о характере связывания рибофлавина с h-BN на основе расположения HOMO и LUMO на изоаллоксазиновом участке.

Примечательно, что наличие вакансий азота существенно влияет на характеристики связывания, поскольку носители взаимодействуют с вакантными орбиталями рибофлавина. В результате рибофлавин превращается в акцептор электронов в системе BN(Nv)@Rf, притягивая электронную плотность примерно на 0,5 e-. Такое поведение резко контрастирует с взаимодействием, наблюдаемым в бездефектном h-BN и h-BN с вакансиями бора (BN(Bv)), см. рисунок.

Распределение разности плотности пространственного заряда в структурах (а) BN@Rf, (б) BN(Bv)@Rf и (в) BN(Nv)@Rf и соответствующих отдельных частей, вид сбоку и сверху. Потеря и прирост заряда обозначены синими и желтыми цветом, соответственно. Атомы бора, азота, углерода, кислорода и водорода обозначены зеленым, синим, черным, красным и голубым цветами, соответственно


Полученные результаты подтверждают потенциал h-BN как перспективного носителя для молекул рибофлавина, поскольку π-π связь, образующаяся между лекарством и носителем, обладает значительной прочностью, что создает прочную основу для систем доставки лекарств. Однако очень важно контролировать структурное совершенство h-BN, так как наличие вакансий может индуцировать зарядку рибофлавина.

Таким образом, проведенное нами исследование позволило получить новые сведения о стабильности и взаимодействии витамина B2 с гексагональным нитридом бора. Полученное комплексное представление об особенностях их связывания и влиянии дефектов расширяет потенциальные возможности по разработке и оптимизации систем доставки лекарственных препаратов на основе h-BN.



Проект нашего коллектива "Моделирование низкоразмерных магнитных гетероструктур для спинтронных устройств нового поколения" был поддержан Российским научным фондом по результатам конкурса 2023 года «Проведение инициативных исследований молодыми учеными»


Задача поиска новых способов хранения и обработки информации является крайне актуальной в настоящее время, поскольку традиционные кремниевые технологии фактически достигли предела плотности записи информации и дальнейшей миниатюризации. Одним из решений данной проблемы является рассмотрение электрона как носителя заряда с двумя основными «степенями свободы», определяемыми его спином. Так, благодаря эффектам гигантского и туннельного магнитосопротивлений, эффектам спинового переноса и ряду других фундаментальных свойств в настоящий момент активно разрабатываются спинтронные устройства – основа технологий хранения и обработки информации нового поколения.

Однако, несмотря на доказанный высокий потенциал спинтронных технологий (с точки зрения низкого энергопотребления и скорости), они всё еще находятся на стадии становления в масштабах потребительского рынка. Предполагается, что в скором времени магниторезистивные (MRAM) устройства смогут конкурировать с привычной флеш-памятью. Но для этого необходимо решить ряд задач, требующих развития методов синтеза стабильных наноразмерных гетероструктур и способов управления их свойствами на атомном уровне. Ключевую роль в решении этих задач могут сыграть двумерные материалы. Действительно, с момента открытия графена и родственных материалов плёнки атомарной толщины стали рассматриваться как потенциальная составляющая ультракомпактной архитектуры устройств и радикально новых способов обработки информации. Научные достижения в области спинтронных устройств на основе 2D материалов, а также недавний прогресс в крупномасштабной совместной интеграции 2D структур с традиционными материалами микроэлектроники открыли многообещающие перспективы для развития технологии MRAM.

В рамках проекта предлагается впервые провести комплексное теоретическое исследование целого ряда перспективных туннельных магнитных гетероструктур (ТМГ) на основе ферромагнитных и двумерных материалов, для которых возможно наблюдение эффектов магнитосопротивления и спиновой инжекции – основы работы спиновых клапанов и транзисторов. Так, будут изучены новые границы раздела на основе железа и кобальта, включая полуметаллические сплавы Гейслера, и их гетеросоединение с двумерными структурами, такими как графен и дихалькогениды переходных металлов с различным составом. Несмотря на широкую популярность данных материалов в отдельности, гетероструктуры на их основе изучены недостаточно, а экспериментальные работы и дальнейшее применение для спинтронных приложений предварительно требуют подробного теоретического анализа структуры, свойств и природы спин-связанных эффектов.

В проекте методами квантово-химического моделирования и неравновесного транспорта впервые будут получены подробные сведения об электронной и магнитной конфигурации наиболее перспективных ТМГ, описаны равновесные свойства гетеропереходов, а также выполнен расчет квантовой проводимости и изучен эффект туннельного магнитосопротивления. Кроме того, впервые будут смоделированы и изучены туннельные гетероструктуры с внедренным слоем оксида MoO3 – перспективным для эффективной спиновой инжекции в двумерных материалах за счет эффекта близости.

Полученные результаты позволят существенно расширить область знаний о спин-транспортных свойствах новых магнитных гетероструктур на основе экспериментально известных ферромагнитных материалов и двумерных пленок. Также будут детально обоснованы перспектива их применения в магниторезистистивных и других спинтронных устройствах.


Возглавляет проект к.ф.-м.н. Ларионов Константин Владимирович.

Обновлено: 27 июн. 2023 г.

Поздравляем Владимира Пренаса с отличной защитой магистерской диссертации "Особенности атомной структуры и механических свойств наноструктур с преимущественно sp3-связями различной размерности"!



Защита прошла 22 июня 2023 года в ФГБНУ ТИСНУМ на базовой кафедре физики и химии наноструктур МФТИ

bottom of page